Первое: форма потенциального барьера, согласно
зонной теории строения твёрдых тел, становится треугольной, так как под действием внешнего электромагнитного поля наблюдаем наклон энергетических зон, соответственно, вероятность туннельного перехода увеличивается, общая величина энергетического барьера определяется физико-химической структурой полупроводника, процессом делокализации в поле заряда ядер атомов кристалла электронного газа.
Заряд стационарных относительно наблюдателя нуклонов так организует электронный газ, что химическая связь в кристалле обобщена, то есть определённые электронные оболочки надмолекулярны, имеются общие для кристалла полупроводника в целом, внешние геометрически в пространстве-времени электронные оболочки, а графически в
зонной теории строения твёрдых тел, есть зона проводимости, более нижняя электронная оболочка в пространстве-времени и графически в энергетическом спектре электронных уровней атомов кристалла расположенная ниже валентная зона.
Наиболее внешняя геометрически, в пространстве, общая для всего кристалла полупроводника, и исходя из этого надмолекулярная электронная оболочка в спектре энергетических уровней, согласно
зонной теории строения твёрдых тел, изображается выше всего, заполнена электронным газом и соответствующему функционально электронному газу, образующим металлическую связь в кристаллах проводников, то есть физико-химические процессы на данном электронном уровне (уровнях) характеристически соответствуют металлической связи, и функционально данный уровень обеспечивает проводимость электричества.