Понятия со словом «гетеропереход»
Связанные понятия
Инжекция — физическое явление, наблюдаемое в полупроводниковых или гетеропереходах, при котором при пропускании электрического тока в прямом направлении через p-n-переход в прилежащих к переходу областях создаются высокие концентрации неравновесных («инжектированных») носителей заряда. Явление инжекции является следствием уменьшения высоты потенциального барьера в p-n-переходе при подаче на него прямого смещения.
Магни́тные полупроводники́ — материалы, проявляющие как свойства ферромагнетиков, так и свойства полупроводников. Изменяя магнитное поле, мы можем изменять проводимость материала. Также существует возможность контроля квантового спинового состояния (эффект спинового токопереноса), что является важным свойством для нового направления в электронике — спинтроники.
Спинтроника (спиновая электроника) — раздел квантовой электроники, занимающийся изучением спинового токопереноса (спин-поляризованного транспорта) в твердотельных веществах, и соответствующая инженерная область. В устройствах спинтроники, в отличие от устройств обычной электроники, энергию или информацию переносит не электрический ток, а ток спинов.
Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений.
Магнитная наноструктура (англ. magnetic nanostructure) — искусственная гетероструктура, обладающая гигантским или туннельным магнетосопротивлением и представляющая собой многослойную плёнку из чередующихся слоёв ферромагнитного и немагнитного материала.
Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения — детектор элементарных частиц, который использует полупроводники (обычно кремний или германий) для обнаружения заряженных частиц или фотонов высоких энергий (ионизирующего излучения). Принцип их действия аналогичен газоразрядным приборам, с тем отличием, что ионизируется объём полупроводника между двумя электродами. В простейшем случае это полупроводниковый диод. Для максимальной чувствительности такие детекторы имеют значительные размеры. Полупроводниковые...
Дельта-легирование англ. delta-doping или англ. δ-doping — внедрение тонкого легированного слоя в полупроводниковые кристаллы в полупроводниках, выращенных эпитаксиальными методами. Для внедрения легирующей примеси процесс роста останавливают и запускают газ с примесью. Толщина слоя составляет порядка 1 нм. Типичным примером δ-легирования является кремний (n-тип примеси) и бериллий (p-тип примеси) в GaAs/AlGaAs гетероструктурах с двумерным электронным газом (ДЭГ). Дельта слой отделён от ДЭГ нелегированной...
Инверсный слой - слой у поверхности полупроводника, возникающий под действием электрических полей, приложенных к полупроводнику. Проводимость инверсного слоя определяется концентрацией неосновных носителей заряда полупроводника.
Физика полупроводников — раздел физики твёрдого тела, посвященный изучению особенностей физических свойств полупроводников и происходящих в них физических явлений. Предметом изучения являются структурные, электрофизические, оптические свойства полупроводников, многие из которых используются при создании полупроводниковых приборов. Методы получения и модификации свойств полупроводников относятся к разделу полупроводникового материаловедения.
Плазменная электроника — раздел электроники, изучающий процессы взаимодействия потоков электронов и ионов с плазмой и ионизированным газом. Исследует периодические процессы (волны и колебания), образующиеся в результате этого взаимодействия. Плазменная электроника используется при создании устройств и приборов электронной техники...
Резонансный туннельный диод — полупроводниковый элемент электрической цепи с нелинейной вольт-амперной характеристикой, в котором используется туннелирование носителей заряда через окруженную двумя потенциальными барьерами потенциальную яму.
Ферромагнетизм (англ. ferromagnetism) — появление спонтанной намагниченности при температуре ниже температуры Кюри вследствие упорядочения магнитных моментов, при котором большая их часть параллельна друг другу. Вещества, в которых возникает ферромагнитное упорядочение магнитных моментов, называются ферромагнетиками.
Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводника, включая комнатную (~ 300 К) полупроводниковых приборов. Удельная электрическая проводимость σ при 300 К составляет 10−4−10~10 Ом−1·см−1 и увеличивается с ростом температуры. Для полупроводниковых материалов характерна высокая чувствительность электрофизических свойств к внешним воздействиям (нагрев, облучение, деформации и т. п.), а также к содержанию структурных дефектов и примесей.
Спейсер (англ. spacer) — в модулированно-легированной гетероструктуре нелегированный слой полупроводника с большой шириной запрещённой зоны, разделяющий двумерный электронный (дырочный) газ и легированный слой с донорами (акцепторами). Вводится для того чтобы как можно дальше разнести заряженные примеси и двумерный электронный газ, поскольку для повышения подвижности необходимо уменьшить рассеяние связанное с кулоновским потенциалом примесей.
В физике полупроводников под термином сверхрешётка принято понимать твердотельную структуру, в которой помимо периодического потенциала кристаллической решётки имеется дополнительный потенциал, период которого существенно превышает постоянную решётки.
Подробнее: Сверхрешётка
Ферримагне́тики — материалы, у которых магнитные моменты атомов различных подрешёток ориентируются антипараллельно, как и в антиферромагнетиках, но моменты различных подрешёток не равны, и, тем самым, результирующий момент не равен нулю. Ферримагнетики характеризуются спонтанной намагниченностью. Различные подрешётки в них состоят из различных атомов или ионов, например, ими могут быть различные ионы железа, Fe2+ и Fe3+. Свойствами ферримагнетиков обладают некоторые упорядоченные металлические сплавы...
Спи́новые во́лны — волны намагниченности в ферро-, антиферро- и ферримагнитных материалах с большими волновыми числами. Впервые были предсказаны Феликсом Блохом для ферромагнетиков в 1930 году. В отличие от магнитостатических волн, при изучении распространения спиновых волн является важным учёт не только магнитостатического, но и обменного взаимодействия. Согласно принципу корпускулярно-волнового дуализма им соответствуют квазичастицы магноны.
Поликристалл — агрегат кристаллов какого-либо вещества (в противоположность монокристаллу — отдельному кристаллу). Составляющие поликристалл кристаллы из-за неправильной формы называют кристаллическими зёрнами или кристаллитами. Поликристаллами являются многие естественные и искусственные материалы (минералы, металлы, сплавы, керамики и др.).
Сегнетоэлектричество — явление возникновения в определенном интервале температур спонтанной поляризации в кристалле, даже в отсутствии внешнего электрического поля, которая может быть переориентирована его приложением. Кристаллы, которым присуще явление сегнетоэлектричества, называются сегнетоэлектриками. Сегнетоэлектрики отличаются от пироэлектриков тем, что при определённой температуре (так называемой диэлектрической точке Кюри) их кристаллическая модификация меняется и спонтанная поляризация пропадает...
Резонансный структурный анализ - метод исследования атомной и магнитной структуры твердых тел при помощи использования эффекта Мёссбауэра. Исследование электронных состояний в кристалле данным методом основано на том, что изомерный сдвиг линии спектра источника и поглотителя определяется разностью электронной плотности на ядрах источника и поглотителя. Определение величины и ориентировки электрических и магнитных полей в кристаллах данным методом основано на влиянии электрических и магнитных полей...
Акустический парамагнитный резонанс — явление резонансного поглощения звука в парамагнетиках. Происходит при совпадении частоты звука с частотой квантовых переходов между магнитными подуровнями атомов или ядер с неравными нулю магнитными моментами. Было открыто С. А. Альтшулером в 1952 г. Для обнаружения явления акустического парамагнитного резонанса используются насыщение обычного магнитного резонанса и оптические методы. На основе явления акустического парамагнитного резонанса созданы эффективные...
Халькогенидное стекло — некристаллическое вещество, содержащее атомы халькогенов (серы, селена, теллура) без кислорода, в основном нечувствительно к примесям, обладает симметричными вольт-амперными характеристиками.Халькогенидные стекла, содержащие в своем составе значительное количество щелочного металла или серебра, обладают ионной проводимостью, значительно превышающей проводимость электронную. Такие стекла применяются в качестве твердых электролитов для электрохимических ячеек. Стекла отличаются...
Плазмохимия — раздел физической химии, изучает химические и физико-химические процессы в низкотемпературной плазме.
Фотоэлектронная спектроскопия — метод изучения строения вещества, основанный на измерении энергетических спектров электронов, вылетающих при фотоэлектронной эмиссии.
Гиперзвук — упругие волны с частотами от 101000 до 1012—1018 Гц. По физической природе гиперзвук не отличается от звуковых и ультразвуковых волн. Гиперзвук часто представляют как поток квазичастиц — фононов.
Пермалло́й — прецизионный сплав с магнитно-мягкими свойствами, состоящий из железа и никеля (45—82 % Ni). Может быть дополнительно легирован несколькими другими компонентами. Сплав обладает высокой магнитной проницаемостью (максимальная относительная магнитная проницаемость μ ~ 100 000), малой коэрцитивной силой, почти нулевой магнитострикцией и значительным магниторезистивным эффектом. Благодаря низкой магнитострикции сплав применяется в прецизионных магнито-механических устройствах и других устройствах...
Электрическая прочность — характеристика диэлектрика, минимальная напряжённость электрического поля, при которой наступает электрический пробой. Все газы, а также все твёрдые и жидкие диэлектрики обладают конечной электрической прочностью.
Эксито́н (лат. excito — «возбуждаю») — квазичастица, представляющая собой электронное возбуждение в диэлектрике, полупроводнике или металле, мигрирующее по кристаллу и не связанное с переносом электрического заряда и массы. Понятие об экситоне и сам термин введены советским физиком Я. И. Френкелем в 1931 году, а экспериментально спектр экситона впервые наблюдался в 1952 году советским физиком Е. Ф. Гроссом. Представляет собой связанное состояние электрона и дырки. При этом его следует считать самостоятельной...
Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия сокр. УФЭС (англ. ultraviolet photoelectron spectroscopy, сокр., UPS) — разновидность фотоэлектронной спектроскопии, в которой для возбуждения фотоэлектронов используется излучение ультрафиолетового спектрального диапазона и которая служит для зондирования заполненных электронных состояний валентной зоны и зоны проводимости в поверхностном слое образца.
Полумета́ллы — в физике твёрдого тела называются различные вещества, занимающие по электрическим свойствам промежуточное положение между металлами и полупроводниками. В отличие от полупроводников полуметаллы обладают электрической проводимостью вблизи абсолютного нуля температуры, в то время как полупроводники (тем более диэлектрики) в этих условиях — изоляторы.
Леги́рование (нем. legieren — «сплавлять», от лат. ligare — «связывать») — внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости.
Антимони́д и́ндия — кристаллическое бинарное неорганическое химическое соединение, соединение индия и сурьмы. Химическая формула InSb.
Полупроводники́ — материалы, по удельной проводимости занимающие промежуточное место между проводниками и диэлектриками, и отличающиеся от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения. Основным свойством полупроводников является увеличение электрической проводимости с ростом температуры.
Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход.
Пространственный заряд — распределённый нескомпенсированный электрический заряд одного знака. Пространственные заряды возникают в вакуумных и газоразрядных лампах в пространстве между электродами, а также в неоднородных областях полупроводниковых приборов, и сильно влияют на прохождение тока через эти области, приводя к нелинейным вольт-амперным характеристикам таких приборов.
Антиферромагнетизм (от анти- и ферромагнетизм) — одно из магнитных состояний вещества, отличающееся тем, что магнитные моменты соседних частиц вещества ориентированы навстречу друг другу (антипараллельно), и поэтому намагниченность тела в целом очень мала. Этим антиферромагнетизм отличается от ферромагнетизма, при котором одинаковая ориентация элементарных магнитиков приводит к высокой намагниченности тела.
Валентный угол — угол, образованный направлениями химических (ковалентных) связей, исходящими из одного атома.
Ферромагне́тики — вещества (как правило, в твёрдом кристаллическом или аморфном состоянии), в которых ниже определённой критической температуры (точки Кюри) устанавливается дальний ферромагнитный порядок магнитных моментов атомов или ионов (в неметаллических кристаллах) или моментов коллективизированных электронов (в металлических кристаллах). Иными словами, ферромагнетик — такое вещество, которое (при температуре ниже точки Кюри) способно обладать намагниченностью в отсутствии внешнего магнитного...
Поляро́н — квазичастица в кристалле, состоящая из электрона и сопровождающего его поля упругой деформации (поляризации) решётки. Медленно движущийся электрон в диэлектрическом кристалле, взаимодействующий с ионами решётки через дальнодействующие силы, будет постоянно окружён областью решёточной поляризации и деформации, вызванной движением электрона. Двигаясь через кристалл, электрон проводит решёточную деформацию, потому можно говорить о наличии облака фононов, сопровождающего электрон. Характер...
Двумерный дисульфид молибдена — монослой молибденита отсоединённый от объёмного кристалла. Слой молибдена формирует гексагональную решётку аналогичную графеновой, а атомы серы расположены по обе стороны от слоя молибдена также формируя гексагональные решётки. Кристалл относится к классу халькогенидов переходных металлов формирующих многочисленную группу двумерных кристаллов. Один из двух халькогенидов переходных металлов (WS2), которые можно получить из природных минералов. Двумерный дисульфид молибдена...
Вольтамперометрия — метод анализа, основанный на исследовании зависимости тока поляризации от напряжения, прикладываемого к электрохимической ячейке, когда электрический потенциал рабочего электрода значительно отличается от равновесного значения (см. электрохимическая поляризация). По разнообразию методов вольтамперометрия — самая многочисленная группа из всех электрохимических методов анализа, широко используемая для определения веществ в растворах и расплавах (например, полярография, амперометрия...
Малоугловое рентгеновское рассеяние сокр., МРР (англ. small angle X-ray scattering сокр., SAXS) — упругое рассеяние рентгеновского излучения на неоднородностях вещества, размеры которых существенно превышают длину волны излучения, которая составляет λ = 0,1–1 нм; направления рассеянных лучей при этом лишь незначительно (на малые углы) отклоняются от направления падающего луча.
Магнитные свойства электронного газа — электронный газ во внешнем магнитном поле обладает парамагнитными свойствами. Магнитные свойства электронного газа складываются из диамагнитного и втрое его превышающего парамагнитного эффектов. Диамагнитный эффект электронного газа объясняется изменением поступательного движения электрона в магнитном поле, парамагнитный эффект — изменением ориентации спина электрона относительно внешнего магнитного поля.
Пьезокера́мика — искусственный материал, обладающий пьезоэлектрическими и сегнетоэлектрическими свойствами, имеющий поликристаллическую структуру.
Обратный затвор — в электронике и физике полупроводников сильно легированная подложка, являющаяся хорошим проводником и используемая в составе полевого транзистора или иной гетероструктуры.
ТИ-биполярон (трансляционно-инвариантный биполярон) – элементарная частица в твердом теле. В отличие от биполяронов с нарушенной симметрией, ТИ-биполярон делокализован в пространстве, поляризационная потенциальная яма у ТИ-биполярона отсутствует, а индуцированный поляризационный заряд равен нулю. ТИ-биполярон является составным бозоном с нулевым спином (в синглетном состоянии) и зарядом 2e. В высокотемпературных сверхпроводниках ТИ-биполяронный газ, представляя собой заряженный Бозе-газ, способен...
Люминесцентный концентратор (англ. luminescent concentrator) — устройство, преобразующее направленное электромагнитное излучение в электрический ток. Представляет собой пластину из органического или неорганического материала (например, полимера), легированного люминесцирующими молекулами органических красителей, квантовыми точками или ионами редкоземельных элементов, которые поглощают излучение с некоторой длиной волны по всей площади пластины и переизлучают его на другой длине волны, направляя световой...