Химико-механическая планаризация

Химико-механическая планаризация (англ. Chemical mechanical polishing, CMP; также Х.-м. полировка) — один из этапов в производстве микроэлектроники (СБИС). Представляет собой комбинацию химических и механических способов планаризации (удаления неровностей с поверхности изготавливаемой полупроводниковой пластины).

Изобретен в IBM в 1983 году. В конце 1980-х IBM передала описания некоторых вариантов CMP в Intel (для производства микропроцессоров для IBM) и в Micron Technology (производство чипов DRAM памяти). В результате сокращений в IBM в 1990—1994 годах, много инженеров, имевших опыт работы с CMP перешло в другие компании, изготавливавшие СБИС.

В 1990-х года технология CMP была одной из самых быстроразвивающихся на рынке оборудования для производства микроэлектроники. Так, с 1995 года продажи CMP-установок утроились, достигнув 520 млн долларов в 1997 году.

ХМП применяется практически после каждого литографического этапа.

Источник: Википедия

а б в г д е ё ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ э ю я