Слой обогащения

Термин слой обогащения в физике полупроводников характеризует повышенную, по сравнению с равновесной, концентрацию основных носителей на границе двух материалов. Примером могут служить гетерограницы двух полупроводников с разными ширинами запрещённых зон, или граница металл-полупроводник. На границе металл-диэлектрик можно также получить слой обогащения при приложении электрического поля, что является основным физическим принципом работы полевого транзистора.

Источник: Википедия

а б в г д е ё ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ э ю я