Обращённый диод

Обращённый дио́д — полупроводниковый диод, вольт-амперная характеристика которого обусловлена туннельным эффектом в области p-n-перехода.

Прямая ветвь вольт-амперной характеристики обращённого диода аналогична прямой ветви ВАХ типичного выпрямительного диода с p-n-переходом, а в отличие от туннельного диода, практически не имеет «горба», что обусловлено немного меньшей, чем у туннельного диода, концентрацией примесей в полупроводнике.

По сути, обращённые диоды — это вырожденные туннельные диоды. Обратные токи у них велики уже при ничтожно малых обратных напряжениях (десятки милливольт) и значительно превосходят прямые токи в при таком же прямом напряжении.

Из-за неполного легирования обладает значительной температурной зависимостью параметров.

Так как полупроводниковый материал относительно сильно легирован, эти диоды малочувствительны к ионизирующему излучению.

Источник: Википедия