Создание лазерного источника излучения требует использования специальных материалов и технологий, таких как эпитаксиальный рост, литография высокого разрешения и т.д.
Получаемые предварительные результаты становления ростового процесса показали, что есть вероятность получить эпитаксиальный кристалл на наших алмазных пластинах.