Делать жизнь с кого (Ж.И. Алферов)

Борис Леонидович Кузнецов (2024)

Предложить молодежи образцы лучших жизней, жизненных ценностей, на примере выдающего советского и российского ученого Лауриата Нобелевской премии Жореса Ивановича Алферова (1930-2019).Рассказать кратко о научных достижениях советской и российской науки, в частности микроэлектроники.Показать образец гражданской ответственности и выполнения патриотического долга в научной, общественной и политической деятельности.Напомнить молодежи наиболее сложные проблемы, подлежащие решению во второй четверти XXI века.Практическое значение: показать как можно наполнить высоким содержанием вступающим во взрослый этап жизни во 2-ой четверти XXI века.

Глава I. Алферов Жорес Иванович

(Данные из энциклопедий и справочников)

Родился 13.03.1930 г. в Витебске. В 1947 году окончил среднюю школу в г. Минске и в этом же году поступил в Ленинградский электротехнический институт им. Ульянова (Ленина), который закончил в 1952 году. Закончил аспирантуру Московского физико-технического института имени А. Ф. Иоффе. В 1962 году защитил кандидатскую, в 1970 году — докторскую диссертации. С 1972 г. Профессор Ленинградского электротехнического института. В 1979 году избран действительным членом Академии Наук СССР. В 1990–1991 гг. вице-президент АН СССР. Вице-президент Российской Академии Наук (1991–2002 гг.) Председатель Президиум С-Петербургского научного центра (с 1989 г.). В 1987 году избран директором Ленинградского физико-технического института. Автор более 500 научных статей, в том числе трех монографий, более 50 изобретений.

В 1958 году с сотрудниками разработал новую технологию и создал конструкцию германиевых вентилей. В 1961 году создал мощные германиевые выпрямители, на основе которых возникла советская силовая полупроводниковая электроника. В 1962 году Ж. И. Алферов возглавил исследования гетеропереходов и гетероструктур. В 1967 году создал гетеропереход, близкий к идеальному. Провел фундаментальные исследования физических характеристик гетеропереходов и развил их применение в светодиодах, солнечных батареях, динисторах и транзисторах, в системах спутникового телевидения. На основе гетероструктур создал совместно с сотрудниками лазеры непрерывного режима работы при комнатных температурах, получившие широкое применение.

Член Государственной Думы с 1995 года. Главный редактор журналов «Физика и техника полупроводников» и «Письма в журнал технической физики».

Удостоен Ленинской премии в области науки и техники (1972 г.), Государственной премии СССР (1984 г.), Нобелевской премии в области физики (2000 г.). награжден орденами Ленина, Октябрьской Революции, трудового Красного Знамени, «Знак Почета», орденом «За заслуги перед Отечеством» 3-й степени, многими медалями СССР и Российской Федерации.

Ж. И. Алферов иностранный член Академии Наук США (с формулировкой «за гетероструктуры»), член Национальной инженерной академии наук США (с формулировкой «за развитие принципов теории и технологии гетероструктур») (1990 г.).

Жорес Иванович удостоен почетных званий:

Гаванского университета (Куба, 1987 г.); Франклинского института (США, 1971 г.); Польской АН (Польша, 1988 г.); Академии Наук Республики Беларусь (1995 г.); Академии Науки и Технологии Кореи (1995 г.); Общества физики и технологии полупроводников Пакистана (1996 г.); Международной Академии Холода (1997 г.); Оптического общества США (1997 г.); Международной академии наук экологии, безопасности человека и природы; Института общей и ядерной физики Российского научного центра «Курчатовский институт» (1998 г.); Санкт-Петербургского гуманитарного университета (1998 г.).

Ж. И. Алферов удостоен Премии Балантайна института Франклина (США, 1971 г.); Хьюллет-Паккардовской премии Европейского общества, Награды Симпозиума по GaAs (1987 г.); медалью Х. Велькера (1987 г.); Премии А. П. Карпинского, Премии им. А. Ф. Иоффа РАН (1995 г.); Общенациональной неправительственной Демидовской премии (РФ, 1999 г.), премии Фонда «Глобальная экономика» (2004 г.) и т. д.

Ж. И. Алферов воспитал более 40 кандидатов и 15 докторов наук, нескольких членов-корреспондентов РАН.